不過,不少架構細節已經被扒了出來。
這是Zen4單個核心的內部布局圖,可以看到浮點單元、調度單元、分支預測單元、載入/存儲單元、解碼單元、TLB、uOP微操作緩存、一級指令和數據緩存、二級緩存。
對比來看,Zen4相比于Zen3不變的有一/三級緩存容量、發射寬度、浮點寬度等,變化的則有微操作緩存從4KB增至6.75KB,每核心二級緩存從512KB翻番至1MB,二/三級緩存延遲從12/46循環變成14/50循環,ROB、L1 BTB也變大了。
Zen4 CCD部分采用臺積電5nm工藝,面積70平方毫米,相比7nm Zen3 83平方毫米縮小了15.7%,但集成度更高,晶體管數量從41.5億猛增到65.7億,增加了足足58%。
IOD部分從GF 12nm升級為臺積電6nm,并集成了Zen3+銳龍6000H/U系列同款的部分電源管理功能、RDNA2架構的GPU圖形核心(2單元),還有DDR5內存控制器、PCIe 5.0控制單元。
IOD的面積為124.7平方毫米,和Zen3 IOD 124.9平方毫米幾乎一模一樣。
僅從晶體管數量、核心面積上看,臺積電工藝確實相當神。
標簽: 光臺積電5nm工藝相當神 調度單元 解碼單元